Przejdź do treści

Uniwersytet Śląski w Katowicach

Instytut Fizyki im. Augusta Chełkowskiego

Laboratorium Spektroskopii Fotoelektronów

Kierownik: dr Michał Pilch, michal.pilch@us.edu.pl

Tel/Phone: + 48 32 349 75 64,

Lokalizacja: E/-1/11

Specjalizacja laboratorium obejmuje charakteryzację materiałów funkcjonalnych dla informatyki, elektroniki, ale także próbek środowiskowych (skażenia środowiska). Analizy służą optymalizacji procesów katalizy, adsorpcji  i desorpcji gazów, zabezpieczaniu różnych materiałów przed korozją, badaniu biomateriałów, cienkich warstw i złącz.

Aparatura:

  • Wielofunkcyjny Spektrometr Elektronów XPS (X-Ray Photoelectron Spectrometry) PHI 5600 firmy   Physical  Electronics (U.S.A.);
  • komora preparacyjna in-situ: wygrzewanie, utlenianie, redukcja, pomiary elektryczne;
  • pomiary prowadzone są w środowisku ultra wysokiej próżni (∼10-10Tora);
  • działo jonowe do oczyszczania powierzchni próbek lub/i profili wgłębnych (Ar);
  • lampa rentgenowska standardowa z podwójną anodą Mg i Al;
  • lampa rentgenowska z anodą Al z monochromatorem;
  • rozdzielczość energetyczna dla źródła monochromatyzowanego jest rzędu 0,35eV;
  • obszar analizy: przesłony o średnicy 800, 400, 120, 30 µm oraz przesłona;
  • głębokość analizy 1-10 monowarstw;
  • oprogramowanie do sterowania pomiarami (PC Access) i analizy wyników pomiarów (Multipak).

Tematyka:

Badanie procesów zachodzących w takich materiałach jak:

  • ferroelektryki, biomateriały, materiały inteligentne;
  • izolatory, metale, nadprzewodniki i półprzewodniki;
  • kryształy, cienkie warstwy, ceramiki, włókna, szkła, polimery, materiały porowate, proszki oraz inne ciała stałe.

Zakres usług:

  • identyfikację stanów chemicznych (wartościowość, energia wiązania);
  • określenie struktury elektronowej oraz analizę pasma walencyjnego;
  • stwierdzenie, jakie jest ułożenie atomów w warstwach przypowierzchniowych oraz na powierzchni;
  • określenie rozkładu atomów i związków adsorbowanych na powierzchni, a także zbadanie ich stanów elektronowych;
  • znalezienie rozkładu pierwiastków i faz ze zmianą głębokości;
  • otrzymanie obrazu badanej powierzchni w funkcji rozkładu zadanego pierwiastka.

return to top